Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247

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Produktbeschreibung

Beschreibung

Das Infineon Technologies SPW20N60S5 ist ein leistungsfähiges N-Kanal-MOSFET, das sich durch seine hohe Zuverlässigkeit und Effizienz auszeichnet. Mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einer maximalen Leistung von 208 W eignet es sich ideal für Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Das MOSFET verfügt über eine niedrige On-Widerstand von 0.19 Ω und eine maximale Drain-Strom von 13 A. Es ist in einem TO-247-Gehäuse verfügbar und ist RoHS-konform.ㅤ

Stichwörter

02050000025181, Infineon Technologies, SPW20N60S5, 354-6414, FET

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