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Beschreibung
Das IXYS IXTH12N100L MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, das sich durch seine hohe Leistung und Zuverlässigkeit auszeichnet. Mit einer maximalen Leistung von 400 W und einer Spannung von 1000 V ist es ideal für Anwendungen, die hohe Energie erfordern. Das MOSFET verfügt über eine niedrige RDS(on)-Widerstand von 1.3 Ω und eine maximale Stromstärke von 12 A. Es ist in einem TO-247AD-Gehäuse verpackt, das eine einfache Montage und einen guten Wärmeübergang ermöglicht. Das IXYS IXTH12N100L MOSFET ist RoHS-konform und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Schaltnetzteile, Motorsteuerungen und Leistungsverstärker.ㅤ