IXYS IXFH320N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 1000 W TO-247AD

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Produktbeschreibung

Beschreibung

Das IXYS IXFH320N10T2 ist ein leistungsfähiges N-Kanal-MOSFET, das sich durch seine hohe Zuverlässigkeit und seine Fähigkeit, hohe Ströme zu schalten, auszeichnet. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und einem maximalen Drain-Strom von 320 A ist es ideal für Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Das MOSFET ist in einem TO-247AD-Gehäuse verpackt und verfügt über eine maximale Leistung von 1000 W. Es ist RoHS-konform und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und anderen Hochleistungsanwendungen.ㅤ

Stichwörter

02050001395283, IXYS, IXFH320N10T2, trench-mosfet, FET

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