Feldeffekt-Transistoren

Marke

• INFINEON TECHNOLOGIES (125)
• VISHAY (30)
• ON SEMICONDUCTOR (25)
• DIOTEC (13)
• STMICROELECTRONICS (9)
• IXYS (2)
• KEMO (1)

Preis

• Preis Minimum €

  Preis Maximum €

I(d)

• -0.13 A (1)
• -0.33 A (1)
• -1.1 A (1)
• -1.17 A (1)
• -1.8 A (1)
• -10 A (1)
• -11 A (1)
• -14 A (1)
• -19 A (2)
• -23 A (1)
• -28 A (1)
• -31 A (1)
• -38 A (1)
• -4 A (2)
• -4.6 A (1)
• -42 A (1)
• -6.2 A (1)
• -6.6 A (1)
• -8.8 A (1)
• 0.10 A (2)
• 0.17 A (2)
• 0.2 A (1)
• 0.35 A (2)
• 0.5 A (1)
• 0.66 A (1)
• 1.5 A (1)
• 1.8 A (1)
• 1.80 A (1)
• 10 A (2)
• 104 A (1)
• 11 A (3)
• 110 A (5)
• 12 A (5)
• 120 A (10)
• 120 mA (1)
• 13.60 A (1)
• 130 A (1)
• 14 A (1)
• 16 A (2)
• 160 A (1)
• 17 A (5)
• 18 A (3)
• 195 A (4)
• 2 A (2)
• 2.20 A (1)
• 2.4 A (1)
• 2.5 A (1)
• 2.70 A (1)
• 20 A (4)
• 209 A (1)

U(DSS)

• -30 V (2)
• -50 V (1)
• 100 V (11)
• 1000 V (3)
• 150 V (4)
• 20 V (3)
• 200 V (7)
• 25 V (3)
• 30 V (5)
• 40 V (5)
• 400 V (3)
• 50 V (2)
• 500 V (7)
• 55 V (6)
• 60 V (15)
• 600 V (3)
• 65 V (1)
• 75 V (6)
• 800 V (1)

Produkt-Art

• IGBT (2)
• MOSFET (189)
• MOSFET/IGBT-Set (1)
• PhotoMOS-Relais (3)
• Transistor - JFET (1)

Leistung (max) P(TOT)

• 0.35 W (1)
• 0.36 W (4)
• 1 W (2)
• 1.25 W (1)
• 1.3 W (1)
• 1.4 W (3)
• 1.8 W (5)
• 100 W (1)
• 107 W (1)
• 110 W (8)
• 120 W (2)
• 125 W (6)
• 130 W (1)
• 135 W (1)
• 140 W (6)
• 143 W (2)
• 144 W (1)
• 150 W (3)
• 160 W (1)
• 170 W (4)
• 176 W (1)
• 178 W (1)
• 180 W (2)
• 190 W (1)
• 2.0 W (12)
• 2.1 W (6)
• 2.5 W (9)
• 20 W (1)
• 200 W (5)
• 220 W (1)
• 225 mW (2)
• 230 W (4)
• 235 W (1)
• 250 W (1)
• 280 W (2)
• 294 W (1)
• 3.1 W (3)
• 3.75 W (1)
• 3.8 W (2)
• 300 mW (1)
• 300 W (7)
• 310 W (1)
• 330 W (1)
• 340 W (1)
• 350 mW (4)
• 36 W (1)
• 360 mW (3)
• 370 W (2)
• 38 W (2)
• 380 W (4)

Betriebstemperatur (min.)

• -40 °C (3)
• -55 °C (91)
• -65 °C (2)

Ausführung

• N-Kanal (144)
• P-Kanal (43)

Herst.-Abk.

• INF (37)
• IR (1)
• IXY (2)
• OnS (22)
• STM (3)
• VIS (20)

Betriebstemperatur (max.)

• +125 °C (2)
• +150 °C (43)
• +175 °C (41)
• 150 °C (15)
• 175 °C (2)

Montageart

• Durchführungsloch (105)
• Durchsteckmontage (1)
• Oberflächenmontage (82)

Kategorie

• IGBT (2)
• MOSFET (189)
• MOSFET/IGBT-Set (1)
• PhotoMOS-Relais (3)
• Transistor - JFET (1)

Gehäuse

• D2PAK (13)
• I-PAK (1)
• PowerPAK-SO-8 (1)
• PowerQFN 2x2 (1)
• PowerQFN 5x6 (1)
• SC-70-6 (1)
• SO-8 (21)
• SOIC-8 (4)
• SOT-223 (14)
• SOT-23 (11)
• SOT-23-3 (8)
• SOT-23-6 (2)
• TO-220 (16)
• TO-220-3 (8)
• TO-220-FULLPAK (1)
• TO-220AB (37)
• TO-236-3 (1)
• TO-247 (4)
• TO-247-3 (3)
• TO-247AC (6)
• TO-247AD (1)
• TO-251-3 (1)
• TO-252 (1)
• TO-252 DPAK (1)
• TO-252AA (29)
• TO-263-3 (1)
• TO-92 (3)

R(DS)(on)

• 0.0039 Ω (1)
• 0.0048 Ω (1)
• 0.006 Ω (1)
• 0.0065 Ω (1)
• 0.008 Ω (3)
• 0.0083 Ω (1)
• 0.0084 Ω (2)
• 0.0085 Ω (1)
• 0.009 Ω (1)
• 0.0091 Ω (1)
• 0.0094 Ω (1)
• 0.012 Ω (2)
• 0.013 Ω (1)
• 0.0139 Ω (1)
• 0.014 Ω (1)
• 0.0155 Ω (1)
• 0.0158 Ω (1)
• 0.016 Ω (1)
• 0.018 Ω (3)
• 0.02 Ω (2)
• 0.0225 Ω (1)
• 0.023 Ω (3)
• 0.0245 Ω (1)
• 0.026 Ω (1)
• 0.03 Ω (1)
• 0.035 Ω (2)
• 0.038 Ω (1)
• 0.039 Ω (1)
• 0.04 Ω (1)
• 0.040 Ω (1)
• 0.041 Ω (1)
• 0.045 Ω (1)
• 0.046 Ω (1)
• 0.047 Ω (1)
• 0.06 Ω (1)
• 0.063 Ω (1)
• 0.065 Ω (4)
• 0.07 Ω (1)
• 0.073 Ω (1)
• 0.075 Ω (1)
• 0.078 Ω (1)
• 0.09 Ω (1)
• 0.098 Ω (2)
• 0.1 Ω (4)
• 0.11 Ω (1)
• 0.117 Ω (1)
• 0.15 Ω (2)
• 0.16 Ω (3)
• 0.165 Ω (1)
• 0.17 Ω (2)

Bewertung

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