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Description
La mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) est similaire à la mémoire RAM dynamique mais la couche diélectrique est remplacée par une couche ferroélectrique. La carte Breakout I2C-FRAM est destinée essentiellement aux applications à basse puissance ou aux applications avec une alimentation en tension instable, pour l’enregistrement ou la mise en mémoire tampon des données. Ce module FRAM dispose d’une mémoire de 32 Ko et d’une interface I2C avec une fréquence d’horloge jusqu’à 1 MHz. Chaque bit peut être lu/écrit jusqu'à 10 milliards de fois et les données sont conservées pendant 95 ans à température ambiante. Ce module peut fonctionner avec une tension d’alimentation de 3 V ou 5 V et une tension de logique. La mémoire est compatible avec une platine d’expérimentation et possède une trame de 2,54 mm pour le soudage d’une barrette à broches.