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Description
La mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) est similaire à la mémoire RAM dynamique mais la couche diélectrique est remplacée par une couche ferroélectrique. La carte Breakout SPI-FRAM est destinée essentiellement aux applications à basse puissance ou aux applications avec une alimentation en tension instable, pour l’enregistrement ou la mise en mémoire tampon des données. Ce module FRAM dispose d’une mémoire de 8 Ko et d’une interface SPI avec une fréquence d’horloge jusqu’à 20 MHz. Chaque bit peut être lu/écrit jusqu'à 10 milliards de fois et les données sont conservées pendant 95 ans à température ambiante. Ce module peut fonctionner avec une tension d’alimentation de 3 V ou 5 V et une tension de logique. La mémoire est compatible avec une platine d’expérimentation et possède une trame de 2,54 mm pour le soudage d’une barrette à broches.